Neues GEMÜ CleanStar高纯度膜集Maßstäbe

08.06.2022
Seit vielen Jahren setzt die Halbleiterindustrie weltweich Membranventile der GEMÜ CleanStar baureein。GEMÜ昆登schätzen die Vorteile der Bauweise sowie die Vielzahl möglicher Anwendungen aufgrund der durchdachten Abstufung der Antriebsgrößen 1 bis 3。Nun erweitert der ventilalist seine GEMÜ CleanStar family um die Antriebsgröße 4 and setzt dabei Maßstäbe bez glich Footprint and Durchfluss。
Neues GEMÜ CleanStar高纯度膜集Maßstäbe

GEMÜ C60 CleanStar, pneumatisch betätigt和GEMÜ C67 CleanStar, manuell betätigt, Antriebsgrößen(Bildquelle: GEMÜ Gebr。德国迈勒仪器设备有限公司

制模工业和制模通风技术。该芯片可实现最大限度的流体流动和局部自由流动。Gleichzeitig erhöhte sich durch größer werdende wererdurchmesser in den vergangenen Jahren auch die benötigte Menge and Prozessmedien。Beiden Entwicklungen trägt GEMÜ mit der einf hrung der neuen Antriebsgröße rechung。Die neue AG 4 ist in den Nennweiten 1 1 / 2" und 2" verfgbar and Die medienber hrten Teile besteen as PFA bzw。聚四氟乙烯解冻TM.疾病组合ermöglicht, große Medienmengen zu transportien and bereits auf der Versorgungs- and veritilungsebene iner Halbleiterfertigung hochreine ventitechnik einzusetzen。Gleichzeitig sorgt das kompakte GEMÜ清洁之星设计公司 r ein herausrgenes Durchfluss/Footprint Verhältnis und wind zuk nftig die膜ventile GEMÜ 600 HP sowie GEMÜ 677 HP/HPW ablösen。

GEMÜ清洁之星:Ein bewährtes设计罗伯特·纽·安文登根
Die vorz ge der GEMÜ清洁星Baureihe sind zahlreich。Die zentrale Überwurfmutter schafft eine verlässliche verzindung zwischen Antrieb und Ventilkörper和verzichtet dabei komplett auf den Einsatz von metallilen。Das Stegdesign (weir style) sort f (r stressarme medienf hrung, minimiert Toträume and gibkeine Durchflussrichtung vor。1 .德国化学工业协会:德国化学工业协会:德国化学工业协会:Beständigkeit auf。Eine Leckagebohrung sowie Langlöcher zur flexible蒙太奇der Ventile de berits in das Körperdesign integral。Zudem verf gt die Baureihe serienmäßig ber eine Stellungsanzeige。所有疾病Vorteile wurden beder Skalierung auf die neue Antriebsgröße 4 bernommen。Durch die größeren Nennweiten macht GEMÜ alle genannten productvorz ge f r seine Kunden bereits in der Versorgungs- und verilerebene (Facility and Sub-Fab) einer Halbleiterfertigung nutzbar。

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